无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2008年
3期
535-539
,共5页
高相东%李效民%于伟东%邱继军%甘小燕
高相東%李效民%于偉東%邱繼軍%甘小燕
고상동%리효민%우위동%구계군%감소연
CuSCN%薄膜%连续离子层吸附与反应%SILAR%光学性能
CuSCN%薄膜%連續離子層吸附與反應%SILAR%光學性能
CuSCN%박막%련속리자층흡부여반응%SILAR%광학성능
采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20～25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50～100nm的较大颗粒和20～30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400～800nm波段的透过率为50%～70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S2O32-与Cu2+的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜.
採用連續離子層吸附與反應(SILAR)方法,在室溫液相條件下(20～25℃)製備瞭沉積于玻璃襯底上的CuSCN半導體薄膜,以X射線衍射、掃描電鏡、光學透過譜攷察瞭所得薄膜的晶體結構、微觀錶麵斷麵形貌和光學性能,探討瞭影響CuSCN薄膜沉積的關鍵因素.結果錶明,所得薄膜具有明顯結晶性及沿c軸擇優生長趨勢,錶麵緻密、均勻,分彆由50～100nm的較大顆粒和20～30nm的小顆粒緊密堆聚而成;薄膜在400～800nm波段的透過率為50%～70%,光學禁帶寬度為3.94eV.CuSCN薄膜的沉積過程受銅前驅液中S2O32-與Cu2+的摩爾比、襯底漂洗方式和生長溫度等因素影響顯著,高絡離子濃度、多次沉積反應後再進行襯底漂洗、以及室溫生長條件有利于得到高質量的CuSCN薄膜.
채용련속리자층흡부여반응(SILAR)방법,재실온액상조건하(20～25℃)제비료침적우파리츤저상적CuSCN반도체박막,이X사선연사、소묘전경、광학투과보고찰료소득박막적정체결구、미관표면단면형모화광학성능,탐토료영향CuSCN박막침적적관건인소.결과표명,소득박막구유명현결정성급연c축택우생장추세,표면치밀、균균,분별유50～100nm적교대과립화20～30nm적소과립긴밀퇴취이성;박막재400～800nm파단적투과솔위50%～70%,광학금대관도위3.94eV.CuSCN박막적침적과정수동전구액중S2O32-여Cu2+적마이비、츤저표세방식화생장온도등인소영향현저,고락리자농도、다차침적반응후재진행츤저표세、이급실온생장조건유리우득도고질량적CuSCN박막.
