半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1377-1382
,共6页
张洁%黄尚廉%孙吉勇%张智海%朱永
張潔%黃尚廉%孫吉勇%張智海%硃永
장길%황상렴%손길용%장지해%주영
光栅%陷阱电荷%工作电压
光柵%陷阱電荷%工作電壓
광책%함정전하%공작전압
光栅平动式光调制器(GMLM)依靠可动光栅在静电力作用下向下反射镜移动,从而改变光程差,实现光调制.结构中siO2绝缘层在外加电场作用下产生陷阱电荷,对器件的驱动特性产生影响.作者依据高斯定理,建立GMLM存在陷阱电荷情况下的电力学模型,分析了外加电场作用下,GMLM极板电荷的分布,以及外加电压与可动光栅位移的关系;比较了两种情况下(考虑与不考虑绝缘层陷阱电荷影响)工作电压变化情况.设计了实验方案,进行了实验研究.结果表明:由于陷阱电荷产生陷阱电压,使得产生相同位移需要的工作电压增加;充电时间越长,陷阱电荷产生的陷阱电压越大;实验结果与理论分析吻合.
光柵平動式光調製器(GMLM)依靠可動光柵在靜電力作用下嚮下反射鏡移動,從而改變光程差,實現光調製.結構中siO2絕緣層在外加電場作用下產生陷阱電荷,對器件的驅動特性產生影響.作者依據高斯定理,建立GMLM存在陷阱電荷情況下的電力學模型,分析瞭外加電場作用下,GMLM極闆電荷的分佈,以及外加電壓與可動光柵位移的關繫;比較瞭兩種情況下(攷慮與不攷慮絕緣層陷阱電荷影響)工作電壓變化情況.設計瞭實驗方案,進行瞭實驗研究.結果錶明:由于陷阱電荷產生陷阱電壓,使得產生相同位移需要的工作電壓增加;充電時間越長,陷阱電荷產生的陷阱電壓越大;實驗結果與理論分析吻閤.
광책평동식광조제기(GMLM)의고가동광책재정전력작용하향하반사경이동,종이개변광정차,실현광조제.결구중siO2절연층재외가전장작용하산생함정전하,대기건적구동특성산생영향.작자의거고사정리,건립GMLM존재함정전하정황하적전역학모형,분석료외가전장작용하,GMLM겁판전하적분포,이급외가전압여가동광책위이적관계;비교료량충정황하(고필여불고필절연층함정전하영향)공작전압변화정황.설계료실험방안,진행료실험연구.결과표명:유우함정전하산생함정전압,사득산생상동위이수요적공작전압증가;충전시간월장,함정전하산생적함정전압월대;실험결과여이론분석문합.
