半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
8期
1544-1547
,共4页
王成龙%范多旺%孙硕%张福甲
王成龍%範多旺%孫碩%張福甲
왕성룡%범다왕%손석%장복갑
a-Si薄膜%退火%晶化%AIC
a-Si薄膜%退火%晶化%AIC
a-Si박막%퇴화%정화%AIC
以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜销诱导晶化(AIC)过程的影响.XRD实验结果表明:a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-si薄膜.Raman光谱实验结果表明:在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的Si-Si键破坏,并与之反应形成强Si-Si键,使得薄膜结构更加稳定有序,同时能加速薄膜中氧的外扩散,促使薄膜晶化.
以玻璃為襯底,室溫條件下採用直流磁控濺射技術製備瞭Glass/Al/a-Si樣品.在H2,N2和空氣3種不同氣氛中進行瞭退火處理.分彆採用XRD,Raman光譜和SEM研究瞭退火氣氛對a-Si薄膜銷誘導晶化(AIC)過程的影響.XRD實驗結果錶明:a-Si薄膜在H2氣氛中400℃下經過90min的退火處理就能得到結晶較好的poly-si薄膜.Raman光譜實驗結果錶明:在500℃下退火處理,相同時間內H2氣氛中a-Si結晶程度最好,空氣氣氛中結晶程度最差.這是因為高溫H2退火過程中,高活性H原子能將弱的Si-Si鍵破壞,併與之反應形成彊Si-Si鍵,使得薄膜結構更加穩定有序,同時能加速薄膜中氧的外擴散,促使薄膜晶化.
이파리위츤저,실온조건하채용직류자공천사기술제비료Glass/Al/a-Si양품.재H2,N2화공기3충불동기분중진행료퇴화처리.분별채용XRD,Raman광보화SEM연구료퇴화기분대a-Si박막소유도정화(AIC)과정적영향.XRD실험결과표명:a-Si박막재H2기분중400℃하경과90min적퇴화처리취능득도결정교호적poly-si박막.Raman광보실험결과표명:재500℃하퇴화처리,상동시간내H2기분중a-Si결정정도최호,공기기분중결정정도최차.저시인위고온H2퇴화과정중,고활성H원자능장약적Si-Si건파배,병여지반응형성강Si-Si건,사득박막결구경가은정유서,동시능가속박막중양적외확산,촉사박막정화.
