传感器技术
傳感器技術
전감기기술
JOURNAL OF TRANSDUCER TECHNOLOGY
2005年
7期
41-43,46
,共4页
杨留方%谢永安%赵鹤云%赵怀志
楊留方%謝永安%趙鶴雲%趙懷誌
양류방%사영안%조학운%조부지
气敏元件%n+n组合结构%选择性%热稳定性%灵敏度%丙酮
氣敏元件%n+n組閤結構%選擇性%熱穩定性%靈敏度%丙酮
기민원건%n+n조합결구%선택성%열은정성%령민도%병동
n+n组合结构半导体气敏元件是基于气敏元件互补反馈原理的一种新结构半导体气敏元件.该元件是由2种传导类型相同的敏感体A和B构成,A和B都是n型半导体材料.理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该元件具有高的选择性,同时,还具有好的热稳定性和高的灵敏度.通过试验,获得了性能较好的n+n组合结构丙酮气敏元件.
n+n組閤結構半導體氣敏元件是基于氣敏元件互補反饋原理的一種新結構半導體氣敏元件.該元件是由2種傳導類型相同的敏感體A和B構成,A和B都是n型半導體材料.理論分析錶明:噹敏感體A和B滿足一定條件時,該元件具有高的選擇性,同時,還具有好的熱穩定性和高的靈敏度.通過試驗,穫得瞭性能較好的n+n組閤結構丙酮氣敏元件.
n+n조합결구반도체기민원건시기우기민원건호보반궤원리적일충신결구반도체기민원건.해원건시유2충전도류형상동적민감체A화B구성,A화B도시n형반도체재료.이론분석표명:당민감체A화B만족일정조건시,해원건구유고적선택성,동시,환구유호적열은정성화고적령민도.통과시험,획득료성능교호적n+n조합결구병동기민원건.
