功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2006年
6期
469-473
,共5页
王玉传%朱大鹏%许薇%罗乐
王玉傳%硃大鵬%許薇%囉樂
왕옥전%주대붕%허미%라악
圆片级气密封装%通孔垂直互连%电镀
圓片級氣密封裝%通孔垂直互連%電鍍
원편급기밀봉장%통공수직호련%전도
提出了一种新颖的圆片级气密封装结构.其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术:KOH腐蚀和DRIE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术.整个工艺过程与IC工艺相匹配,并在圆片级的基础上完成,可实现互连密度200/cm2的垂直通孔密度.该结构在降低封装成本,提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤.实验还对结构的键合强度和气密性进行了研究.初步实验表明,该结构能够满足MIL-STD对封装结构气密性的要求,同时其焊层键合强度可达8MPa以上.本工作初步在工艺方面实现了该封装结构,为进一步的实用化研究奠定了基础.
提齣瞭一種新穎的圓片級氣密封裝結構.其中芯片互連採用瞭通孔垂直互連技術:KOH腐蝕和DRIE相結閤的薄硅晶片通孔刻蝕技術、由下嚮上銅電鍍的通孔金屬化技術、純Sn銲料氣密鍵閤和凸點製備相結閤的通孔互連技術.整箇工藝過程與IC工藝相匹配,併在圓片級的基礎上完成,可實現互連密度200/cm2的垂直通孔密度.該結構在降低封裝成本,提高封裝密度的同時可有效地保護MEMS器件不受損傷.實驗還對結構的鍵閤彊度和氣密性進行瞭研究.初步實驗錶明,該結構能夠滿足MIL-STD對封裝結構氣密性的要求,同時其銲層鍵閤彊度可達8MPa以上.本工作初步在工藝方麵實現瞭該封裝結構,為進一步的實用化研究奠定瞭基礎.
제출료일충신영적원편급기밀봉장결구.기중심편호련채용료통공수직호련기술:KOH부식화DRIE상결합적박규정편통공각식기술、유하향상동전도적통공금속화기술、순Sn한료기밀건합화철점제비상결합적통공호련기술.정개공예과정여IC공예상필배,병재원편급적기출상완성,가실현호련밀도200/cm2적수직통공밀도.해결구재강저봉장성본,제고봉장밀도적동시가유효지보호MEMS기건불수손상.실험환대결구적건합강도화기밀성진행료연구.초보실험표명,해결구능구만족MIL-STD대봉장결구기밀성적요구,동시기한층건합강도가체8MPa이상.본공작초보재공예방면실현료해봉장결구,위진일보적실용화연구전정료기출.
