半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
1期
47-51
,共5页
李秀宇%吴月花%李志国%付厚奎
李秀宇%吳月花%李誌國%付厚奎
리수우%오월화%리지국%부후규
钝化层%光学相移法%应力
鈍化層%光學相移法%應力
둔화층%광학상이법%응력
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大.200 ℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀.同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符.
採用光偏振相移榦涉原理測量瞭硅基上不同鈍化層下鋁膜應力的變化.研究錶明:不同的鈍化層對鋁膜的應力影響不同.SiO2鈍化層下的鋁膜應力最小,而鈍化層為聚酰亞胺的鋁膜應力最大.200 ℃下退火4 h後,應力減小明顯,且分佈趨嚮均勻.同時採用有限元法對不同鈍化層的鋁膜進行瞭應力模擬,模擬結果與實驗結果相符.
채용광편진상이간섭원리측량료규기상불동둔화층하려막응력적변화.연구표명:불동적둔화층대려막적응력영향불동.SiO2둔화층하적려막응력최소,이둔화층위취선아알적려막응력최대.200 ℃하퇴화4 h후,응력감소명현,차분포추향균균.동시채용유한원법대불동둔화층적려막진행료응력모의,모의결과여실험결과상부.
