河北大学学报（自然科学版）
河北大學學報（自然科學版）
하북대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2009年
5期
484-488,554
,共6页
武德起%姚金城%赵红生%常爱民%李锋%周阳
武德起%姚金城%趙紅生%常愛民%李鋒%週暘
무덕기%요금성%조홍생%상애민%리봉%주양
ZrO2薄膜%高介电栅介质%等效厚度%漏电流
ZrO2薄膜%高介電柵介質%等效厚度%漏電流
ZrO2박막%고개전책개질%등효후도%루전류
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 am厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
採用脈遲激光沉積方法在Si襯底上沉積瞭ZrO2柵介質薄膜,X射線衍射分析錶明該薄膜經過450℃退火後低介電界麵層得到抑製,仍然保持非晶狀態;電學測試顯示10 am厚ZrO2薄膜的等效厚度為3.15 nm,介電常數12.38,滿足新型高介電柵介質的要求,在-1 V偏壓下Al/ZrO2/Si/Al電容器的漏電流密度為1.1×10-4A/cm2.
채용맥충격광침적방법재Si츤저상침적료ZrO2책개질박막,X사선연사분석표명해박막경과450℃퇴화후저개전계면층득도억제,잉연보지비정상태;전학측시현시10 am후ZrO2박막적등효후도위3.15 nm,개전상수12.38,만족신형고개전책개질적요구,재-1 V편압하Al/ZrO2/Si/Al전용기적루전류밀도위1.1×10-4A/cm2.
