发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
3期
373-377
,共5页
SiCGe薄膜%低压化学气相沉积%生长温度%光致发光
SiCGe薄膜%低壓化學氣相沉積%生長溫度%光緻髮光
SiCGe박막%저압화학기상침적%생장온도%광치발광
利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜.通过光致发光(PL)谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响.结果表明:生长温度为980,1 030,1 060℃的SiCGe薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31 eV处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对SiCGe薄膜带隙的调节作用.同时,对SiCGe薄膜进行了变温PL测试,发现当测试温度高于200 K时,发光峰呈现出蓝移现象.认为这是不同机制参与发光所造成的.
利用低壓化學氣相澱積工藝在6H-SiC襯底成功製備瞭SiCGe薄膜.通過光緻髮光(PL)譜研究瞭生長溫度對SiCGe薄膜髮光特性的影響.結果錶明:生長溫度為980,1 030,1 060℃的SiCGe薄膜的室溫光緻髮光峰分彆位于2.13,2.18,2.31 eV處;通過組分分析和帶隙計算,認定該髮光峰來自于帶間輻射複閤,證實瞭改變生長溫度對SiCGe薄膜帶隙的調節作用.同時,對SiCGe薄膜進行瞭變溫PL測試,髮現噹測試溫度高于200 K時,髮光峰呈現齣藍移現象.認為這是不同機製參與髮光所造成的.
이용저압화학기상정적공예재6H-SiC츤저성공제비료SiCGe박막.통과광치발광(PL)보연구료생장온도대SiCGe박막발광특성적영향.결과표명:생장온도위980,1 030,1 060℃적SiCGe박막적실온광치발광봉분별위우2.13,2.18,2.31 eV처;통과조분분석화대극계산,인정해발광봉래자우대간복사복합,증실료개변생장온도대SiCGe박막대극적조절작용.동시,대SiCGe박막진행료변온PL측시,발현당측시온도고우200 K시,발광봉정현출람이현상.인위저시불동궤제삼여발광소조성적.
