无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2011年
12期
2437-2442
,共6页
王信春%王广君%庞山%万绍明%张兴堂%杜祖亮
王信春%王廣君%龐山%萬紹明%張興堂%杜祖亮
왕신춘%왕엄군%방산%만소명%장흥당%두조량
CuInSe2%富铜%富铟%电沉积%太阳能电池
CuInSe2%富銅%富銦%電沉積%太暘能電池
CuInSe2%부동%부인%전침적%태양능전지
本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结果发现pH值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响,通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量富铟与富铜薄膜.利用表面光电压(SPS)技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究,结果发现富铟薄膜具有很强的光电响应；而富铜薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成了新的界面,电子-空穴对在其界面处因捕获而发生复合,从而导致其光电响应的强烈降低.所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路.
本文採用一步恆電位沉積法在銦錫氧化物(ITO)基底上製備CuInSe2薄膜,研究瞭沉積過程中不同的離子濃度配比及pH值對CuInSe2膜結構性能的影響.利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能譜儀(EDS)及X射線衍射儀(XRD)研究瞭薄膜材料的結構性能,結果髮現pH值對薄膜的化學成份、錶麵形貌、晶格結構都有顯著影響,通過控製閤適的濃度及痠度分彆製備瞭高質量富銦與富銅薄膜.利用錶麵光電壓(SPS)技術分彆對富銦與富銅薄膜的光電分離特性進行瞭研究,結果髮現富銦薄膜具有很彊的光電響應；而富銅薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成瞭新的界麵,電子-空穴對在其界麵處因捕穫而髮生複閤,從而導緻其光電響應的彊烈降低.所得到的結果為提高銅銦硒薄膜的光電效率提供瞭有價值的新思路.
본문채용일보항전위침적법재인석양화물(ITO)기저상제비CuInSe2박막,연구료침적과정중불동적리자농도배비급pH치대CuInSe2막결구성능적영향.이용소묘전자현미경(SEM)、X사선능보의(EDS)급X사선연사의(XRD)연구료박막재료적결구성능,결과발현pH치대박막적화학성빈、표면형모、정격결구도유현저영향,통과공제합괄적농도급산도분별제비료고질량부인여부동박막.이용표면광전압(SPS)기술분별대부인여부동박막적광전분리특성진행료연구,결과발현부인박막구유흔강적광전향응；이부동박막유우Cu-Se상적존재,재박막중형성료신적계면,전자-공혈대재기계면처인포획이발생복합,종이도치기광전향응적강렬강저.소득도적결과위제고동인서박막적광전효솔제공료유개치적신사로.
