光通信研究
光通信研究
광통신연구
STUDY ON OPTICAL COMMUNICATIONS
2012年
5期
37-39,49
,共4页
郭剑%赵建宜%黄晓东%马卫东
郭劍%趙建宜%黃曉東%馬衛東
곽검%조건의%황효동%마위동
光子集成%量子阱混杂%多量子阱
光子集成%量子阱混雜%多量子阱
광자집성%양자정혼잡%다양자정
为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量.实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75 nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景.
為瞭比較簡單地在同一外延片上得到具有不同帶隙結構的有源器件與無源器件的PIC(光子集成電路)和OEIC(光電子集成電路),採用等離子誘導QWI(量子阱混雜)與RTA(快速熱退火)技術穫得瞭InP/InGaAsP結構材料的帶隙藍移,其中通過在材料錶麵沉積不同佔空比的SiO2灰度掩膜來靈活控製帶隙偏移量.實驗中這種方法在基片上穫得瞭5種帶隙波長,其中最大波長偏移為75 nm,實驗結果說明這種技術是實現PIC和OEIC的有效手段,特彆是在多帶隙結構中具有廣闊的應用前景.
위료비교간단지재동일외연편상득도구유불동대극결구적유원기건여무원기건적PIC(광자집성전로)화OEIC(광전자집성전로),채용등리자유도QWI(양자정혼잡)여RTA(쾌속열퇴화)기술획득료InP/InGaAsP결구재료적대극람이,기중통과재재료표면침적불동점공비적SiO2회도엄막래령활공제대극편이량.실험중저충방법재기편상획득료5충대극파장,기중최대파장편이위75 nm,실험결과설명저충기술시실현PIC화OEIC적유효수단,특별시재다대극결구중구유엄활적응용전경.
