微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
6期
531-533
,共3页
杨国渝%税国华%张正元%吴健
楊國渝%稅國華%張正元%吳健
양국투%세국화%장정원%오건
SOI%多晶硅%全介质隔离%化学机械抛光%平坦化%MEMS
SOI%多晶硅%全介質隔離%化學機械拋光%平坦化%MEMS
SOI%다정규%전개질격리%화학궤계포광%평탄화%MEMS
介绍了一种适合制作SOI全介质隔离电路的平坦化技术.该技术采用外延多晶硅回填隔离槽,并结合化学机械抛光,使SOI全介质隔离完成后形成的表面能达到单晶硅抛光材料的水平.该工艺适合制作某些具有特殊要求的集成电路、MEMS器件构件以及将电路和MEMS构件集成在同一硅片上的一体化加工.
介紹瞭一種適閤製作SOI全介質隔離電路的平坦化技術.該技術採用外延多晶硅迴填隔離槽,併結閤化學機械拋光,使SOI全介質隔離完成後形成的錶麵能達到單晶硅拋光材料的水平.該工藝適閤製作某些具有特殊要求的集成電路、MEMS器件構件以及將電路和MEMS構件集成在同一硅片上的一體化加工.
개소료일충괄합제작SOI전개질격리전로적평탄화기술.해기술채용외연다정규회전격리조,병결합화학궤계포광,사SOI전개질격리완성후형성적표면능체도단정규포광재료적수평.해공예괄합제작모사구유특수요구적집성전로、MEMS기건구건이급장전로화MEMS구건집성재동일규편상적일체화가공.
