调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究
조제참잡AlxGa1-xN/GaN이질결중AlxGa1-xN세루층표면태급기타국역태성질연구
Surface States and Other Local States in AlxGa1-xN Barriers of Modulation-Doped AlxGa1-xN/GaN Heterosturctures
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 8期 822-826 ,共5页

    刘杰%沈波%周玉刚%周慧梅%郑泽伟%张荣%施毅%郑有炓

    류걸%침파%주옥강%주혜매%정택위%장영%시의%정유료

    Ⅲ族氮化物%调制掺杂异质结构%势垒层%表面态 Ⅲ族氮化物%調製摻雜異質結構%勢壘層%錶麵態
    Ⅲ족담화물%조제참잡이질결구%세루층%표면태
    通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性,对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降,说明势垒层中存在表面态.实验数据分析表明:表面态密度约为1013cm-2量级,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大.随着空间隔离层厚度的增加,势垒层中其他局域态密度随之增加.在金属电极和Al0.22Ga0.78N势垒层之间加入Si3N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用,使表面态密度降为～1012cm-2量级.
    통과측량조제참잡Al0.22Ga0.78N/GaN이질결양품적변빈전용-전압(C-V)특성,대Al0.22Ga0.78N세루층표면태적성질진행료연구.결과발현재소편압하,양품적전용수착측량신호빈솔적증가이하강,설명세루층중존재표면태.실험수거분석표명:표면태밀도약위1013cm-2량급,표면태적시간상수비세루층중기타국역태대.수착공간격리층후도적증가,세루층중기타국역태밀도수지증가.재금속전겁화Al0.22Ga0.78N세루층지간가입Si3N4절연층가이대표면태기도현저적둔화작용,사표면태밀도강위～1012cm-2량급.
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