半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
7期
34-38
,共5页
罗铂靓%杜惊雷%唐雄贵%杜春雷%刘世杰%郭永康
囉鉑靚%杜驚雷%唐雄貴%杜春雷%劉世傑%郭永康
라박정%두량뢰%당웅귀%두춘뢰%류세걸%곽영강
光刻胶%前烘%曝光%显影
光刻膠%前烘%曝光%顯影
광각효%전홍%폭광%현영
对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光学器件提供了参考依据,对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义.
對AE4620厚膠紫外光刻工藝進行瞭實驗研究,探討瞭其工藝特性及光刻膠層的刻蝕麵形與各種工藝條件的關繫,提齣瞭刻蝕高深寬比、最佳浮彫麵形所需的工藝條件.通過對光刻工藝過程的研究,可為較好地控製正性光刻膠麵形,製作微機械、微光學器件提供瞭參攷依據,對微浮彫結構的深刻蝕具有重要的指導意義.
대AE4620후효자외광각공예진행료실험연구,탐토료기공예특성급광각효층적각식면형여각충공예조건적관계,제출료각식고심관비、최가부조면형소수적공예조건.통과대광각공예과정적연구,가위교호지공제정성광각효면형,제작미궤계、미광학기건제공료삼고의거,대미부조결구적심각식구유중요적지도의의.
