国外电子元器件
國外電子元器件
국외전자원기건
INTERNATIONAL ELECTRONIC ELEMENTS
2005年
11期
23-25,30
,共4页
带隙%低温漂%电压基准源
帶隙%低溫漂%電壓基準源
대극%저온표%전압기준원
基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路.该电路采用0.6μm CSMC-HJ N阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右;在-55℃～125℃温度范围内的典型工艺参数条件下,电路温度系数仅为7×10-6/℃;电源电压范围为4V～6V,在产生标称1.25V基准电压的同时,可以为负载提供1mA～2mA的电流驱动能力.
基于標準N阱CMOS工藝設計瞭一種帶隙基準電壓產生及輸齣驅動轉換電路.該電路採用0.6μm CSMC-HJ N阱CMOS工藝驗證,HSPICE模擬倣真結果錶明電路輸齣基準電壓為1.25V左右;在-55℃～125℃溫度範圍內的典型工藝參數條件下,電路溫度繫數僅為7×10-6/℃;電源電壓範圍為4V～6V,在產生標稱1.25V基準電壓的同時,可以為負載提供1mA～2mA的電流驅動能力.
기우표준N정CMOS공예설계료일충대극기준전압산생급수출구동전환전로.해전로채용0.6μm CSMC-HJ N정CMOS공예험증,HSPICE모의방진결과표명전로수출기준전압위1.25V좌우;재-55℃～125℃온도범위내적전형공예삼수조건하,전로온도계수부위7×10-6/℃;전원전압범위위4V～6V,재산생표칭1.25V기준전압적동시,가이위부재제공1mA～2mA적전류구동능력.
