N2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备
N2참잡p형ZnO급ZnO동질p-n결LED적제비
p-type ZnO and ZnO p-n Homojunction LED by Using Activated N2 Doping
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2006年 6期 1026-1028 ,共3页

    张振中%魏志鹏%吕有明%矫淑杰%姚斌%申德振%张吉英%赵东旭%李炳辉%郑著宏%范希武

    장진중%위지붕%려유명%교숙걸%요빈%신덕진%장길영%조동욱%리병휘%정저굉%범희무

    氧化锌%发光二极管%N掺杂 氧化鋅%髮光二極管%N摻雜
    양화자%발광이겁관%N참잡
    采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了p型ZnO薄膜及同质p-n结.I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳定的室温电致发光,包括位于420 nm附近的发光峰和500～700 nm的发光带.
    채용사빈등리자체보조분자속외연방법,이N2작위참잡원,이O2작위보조분해적기체화양원,통과등리자체광보적실시감측래공제참잡원중각조분적함량,제비료p형ZnO박막급동질p-n결.I-V곡선현시해p-n결구유정류특성,직류구동하획득료은정적실온전치발광,포괄위우420 nm부근적발광봉화500～700 nm적발광대.
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