半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
2期
221-223
,共3页
王巧云%宋士德%王晓旭%林钧岫%邹龙江
王巧雲%宋士德%王曉旭%林鈞岫%鄒龍江
왕교운%송사덕%왕효욱%림균수%추룡강
光敏光纤%高温%单模
光敏光纖%高溫%單模
광민광섬%고온%단모
以单模掺锗光敏光纤为研究对象,用光谱仪观测其从室温(20 ℃)到1 025 ℃升温、降温过程中中心波长及输出功率的变化情况,并用电子扫描显微镜观察其微观结构在升温前、后是否发生变化.实验结果表明,单模光敏光纤在升温、降温过程中中心波长以及输出功率没有发生明显的变化,其中心波长、输出功率的升温曲线和降温曲线亦吻合得比较好,具有很好的重复特性;其纤芯、包层之间没有发生扩散.从而得出单模光敏光纤在20 ℃至1 025 ℃的温度范围内其中心波长、输出功率以及微观结构是稳定的;验证了用这种光纤制作的布拉格光栅在高温下失效是由光栅结构在高温下遭到了破坏所导致的.
以單模摻鍺光敏光纖為研究對象,用光譜儀觀測其從室溫(20 ℃)到1 025 ℃升溫、降溫過程中中心波長及輸齣功率的變化情況,併用電子掃描顯微鏡觀察其微觀結構在升溫前、後是否髮生變化.實驗結果錶明,單模光敏光纖在升溫、降溫過程中中心波長以及輸齣功率沒有髮生明顯的變化,其中心波長、輸齣功率的升溫麯線和降溫麯線亦吻閤得比較好,具有很好的重複特性;其纖芯、包層之間沒有髮生擴散.從而得齣單模光敏光纖在20 ℃至1 025 ℃的溫度範圍內其中心波長、輸齣功率以及微觀結構是穩定的;驗證瞭用這種光纖製作的佈拉格光柵在高溫下失效是由光柵結構在高溫下遭到瞭破壞所導緻的.
이단모참타광민광섬위연구대상,용광보의관측기종실온(20 ℃)도1 025 ℃승온、강온과정중중심파장급수출공솔적변화정황,병용전자소묘현미경관찰기미관결구재승온전、후시부발생변화.실험결과표명,단모광민광섬재승온、강온과정중중심파장이급수출공솔몰유발생명현적변화,기중심파장、수출공솔적승온곡선화강온곡선역문합득비교호,구유흔호적중복특성;기섬심、포층지간몰유발생확산.종이득출단모광민광섬재20 ℃지1 025 ℃적온도범위내기중심파장、수출공솔이급미관결구시은정적;험증료용저충광섬제작적포랍격광책재고온하실효시유광책결구재고온하조도료파배소도치적.
