材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2007年
4期
138-139,143
,共3页
张迪%程伟明%林更其%杨晓非
張迪%程偉明%林更其%楊曉非
장적%정위명%림경기%양효비
射频磁控溅射%SmCo5%垂直磁化膜%Cu薄膜
射頻磁控濺射%SmCo5%垂直磁化膜%Cu薄膜
사빈자공천사%SmCo5%수직자화막%Cu박막
使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜,并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构.实验结果表明:当基的片加热温度为100～150℃、薄膜厚度为405 nm、溅射功率为150～300 W时,所制得的沿(111)面择优生长的Cu薄膜的Ⅰ(111)/Ⅰ(200)均大于15,可作为SmCo5垂直磁化薄膜的衬底层.
使用射頻磁控濺射方法在載玻片上製備Cu薄膜,併通過調整其濺射參數來改變Cu薄膜的內部結構.實驗結果錶明:噹基的片加熱溫度為100～150℃、薄膜厚度為405 nm、濺射功率為150～300 W時,所製得的沿(111)麵擇優生長的Cu薄膜的Ⅰ(111)/Ⅰ(200)均大于15,可作為SmCo5垂直磁化薄膜的襯底層.
사용사빈자공천사방법재재파편상제비Cu박막,병통과조정기천사삼수래개변Cu박막적내부결구.실험결과표명:당기적편가열온도위100～150℃、박막후도위405 nm、천사공솔위150～300 W시,소제득적연(111)면택우생장적Cu박막적Ⅰ(111)/Ⅰ(200)균대우15,가작위SmCo5수직자화박막적츤저층.
