微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
1期
45-48
,共4页
张林%徐世六%胡永贵%王敬
張林%徐世六%鬍永貴%王敬
장림%서세륙%호영귀%왕경
带隙基准源%2阶补偿%预基准电路
帶隙基準源%2階補償%預基準電路
대극기준원%2계보상%예기준전로
介绍了一种采用2阶补偿技术的高精度带隙基准电路.通过增加预基准电路,提高了电源抑制比.通过PTAT2电路补偿VBE的2阶项,改善了基准电压的温度特性.Hspice仿真结果表明,在-55℃～125℃范围内,温度系数为4.3×10-6V/℃,低频时PSRR为114 dB.
介紹瞭一種採用2階補償技術的高精度帶隙基準電路.通過增加預基準電路,提高瞭電源抑製比.通過PTAT2電路補償VBE的2階項,改善瞭基準電壓的溫度特性.Hspice倣真結果錶明,在-55℃～125℃範圍內,溫度繫數為4.3×10-6V/℃,低頻時PSRR為114 dB.
개소료일충채용2계보상기술적고정도대극기준전로.통과증가예기준전로,제고료전원억제비.통과PTAT2전로보상VBE적2계항,개선료기준전압적온도특성.Hspice방진결과표명,재-55℃～125℃범위내,온도계수위4.3×10-6V/℃,저빈시PSRR위114 dB.
