半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
5期
442-445
,共4页
孙览江%黄辉%吕吉贺%蔡世伟%雒伟伟%王琦%黄永清%任晓敏
孫覽江%黃輝%呂吉賀%蔡世偉%雒偉偉%王琦%黃永清%任曉敏
손람강%황휘%려길하%채세위%락위위%왕기%황영청%임효민
异质外延%光探测器%谐振腔%单片集成%量子效率
異質外延%光探測器%諧振腔%單片集成%量子效率
이질외연%광탐측기%해진강%단편집성%양자효솔
介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器.通过两步生长法,在GaAs村底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反射镜(DBR).所制备的器件在1 549.4 nm处获得了67.3%的量子效率和17 nm的光谱响应线宽,在1 497.7 nm处获得了53.5%的量子效率和9.6 nm的光谱响应线宽,而InGaAs吸收层厚度仅为200 nm.采用单片集成法,工艺简单、易于产业化,随着缓冲层技术的发展,此种RCE光探测器的性能还将获得进一步提升.
介紹瞭一種GaAs基的長波長諧振腔增彊型(RCE)光探測器.通過兩步生長法,在GaAs村底上異質外延生長瞭InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收結構和GaAs/AlAs的分佈佈拉格反射鏡(DBR).所製備的器件在1 549.4 nm處穫得瞭67.3%的量子效率和17 nm的光譜響應線寬,在1 497.7 nm處穫得瞭53.5%的量子效率和9.6 nm的光譜響應線寬,而InGaAs吸收層厚度僅為200 nm.採用單片集成法,工藝簡單、易于產業化,隨著緩遲層技術的髮展,此種RCE光探測器的性能還將穫得進一步提升.
개소료일충GaAs기적장파장해진강증강형(RCE)광탐측기.통과량보생장법,재GaAs촌저상이질외연생장료InP-InGaAs-InP적p-i-n광흡수결구화GaAs/AlAs적분포포랍격반사경(DBR).소제비적기건재1 549.4 nm처획득료67.3%적양자효솔화17 nm적광보향응선관,재1 497.7 nm처획득료53.5%적양자효솔화9.6 nm적광보향응선관,이InGaAs흡수층후도부위200 nm.채용단편집성법,공예간단、역우산업화,수착완충층기술적발전,차충RCE광탐측기적성능환장획득진일보제승.
