真空
真空
진공
VACUUM
2011年
5期
68-70
,共3页
王光伟%姚素英%徐文慧%马兴兵
王光偉%姚素英%徐文慧%馬興兵
왕광위%요소영%서문혜%마흥병
变温I-V测试%外加偏压%肖特基结%表观理想因子%肖特基势垒高度的不均匀性
變溫I-V測試%外加偏壓%肖特基結%錶觀理想因子%肖特基勢壘高度的不均勻性
변온I-V측시%외가편압%초특기결%표관이상인자%초특기세루고도적불균균성
采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜.俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15.对薄膜进行高温磷扩散后,经XRD测试为多晶态,即得n-poly-Si0.85Ge0.15.在n-poly-Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜,做成Co/n-poly-Si085Ge0.15肖特基结样品.在90～332 K范围对未退火样品做I-V-T测试.研究发现,随着外加偏压增大,表观理想因子缓慢上升,肖特基势垒高度(SBH)下降.基于SBH的不均匀分布建模,得到了二者近似为线性负相关的结论.
採用直流離子束濺射法,在n型單晶硅襯底上澱積Si1-xGex薄膜.俄歇電子譜(AES)測得Si1-xGex薄膜的Ge含量約為0.15.對薄膜進行高溫燐擴散後,經XRD測試為多晶態,即得n-poly-Si0.85Ge0.15.在n-poly-Si0.85Ge0.15上濺射一層薄的Co膜,做成Co/n-poly-Si085Ge0.15肖特基結樣品.在90～332 K範圍對未退火樣品做I-V-T測試.研究髮現,隨著外加偏壓增大,錶觀理想因子緩慢上升,肖特基勢壘高度(SBH)下降.基于SBH的不均勻分佈建模,得到瞭二者近似為線性負相關的結論.
채용직류리자속천사법,재n형단정규츤저상정적Si1-xGex박막.아헐전자보(AES)측득Si1-xGex박막적Ge함량약위0.15.대박막진행고온린확산후,경XRD측시위다정태,즉득n-poly-Si0.85Ge0.15.재n-poly-Si0.85Ge0.15상천사일층박적Co막,주성Co/n-poly-Si085Ge0.15초특기결양품.재90～332 K범위대미퇴화양품주I-V-T측시.연구발현,수착외가편압증대,표관이상인자완만상승,초특기세루고도(SBH)하강.기우SBH적불균균분포건모,득도료이자근사위선성부상관적결론.
