微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2004年
5期
24-27
,共4页
RF MEMS开关%陷波电路%隔离度
RF MEMS開關%陷波電路%隔離度
RF MEMS개관%함파전로%격리도
提出了采用陷波电路结构来补偿串联RF MEMS开关断开时的耦合电容,提高其隔离度的一种方法.理论分析显示,采用这种方法,在2～5 GHz的频率范围内,可以使开关的隔离度最多提高15.6dB,而插入损耗只受到0.07dB影响.
提齣瞭採用陷波電路結構來補償串聯RF MEMS開關斷開時的耦閤電容,提高其隔離度的一種方法.理論分析顯示,採用這種方法,在2～5 GHz的頻率範圍內,可以使開關的隔離度最多提高15.6dB,而插入損耗隻受到0.07dB影響.
제출료채용함파전로결구래보상천련RF MEMS개관단개시적우합전용,제고기격리도적일충방법.이론분석현시,채용저충방법,재2～5 GHz적빈솔범위내,가이사개관적격리도최다제고15.6dB,이삽입손모지수도0.07dB영향.
