半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
4期
428-433
,共6页
冯仁剑%张海波%Katsumi URA
馮仁劍%張海波%Katsumi URA
풍인검%장해파%Katsumi URA
电子照射%绝缘物带电%二次电子%电容衬度%扫描电镜%集成电路检测
電子照射%絕緣物帶電%二次電子%電容襯度%掃描電鏡%集成電路檢測
전자조사%절연물대전%이차전자%전용츤도%소묘전경%집성전로검측
在研究低能电子束照射绝缘物时在二次电子返回特性的基础上,通过绝缘物表面照射微区和衬底之间的有效电容,获得了表面电位和二次电子信号电流在表面电荷积累过渡过程中随照射条件的变化关系,建立了电子束照射覆盖有绝缘膜的IC芯片时形成静态电容衬度的理论模型.从理论上分析了电子束照射条件和芯片内部形貌、材料参数对静态电容衬度的影响,解释了在扫描电镜实验中的最大衬度现象及其对应的最佳电子照射条件.
在研究低能電子束照射絕緣物時在二次電子返迴特性的基礎上,通過絕緣物錶麵照射微區和襯底之間的有效電容,穫得瞭錶麵電位和二次電子信號電流在錶麵電荷積纍過渡過程中隨照射條件的變化關繫,建立瞭電子束照射覆蓋有絕緣膜的IC芯片時形成靜態電容襯度的理論模型.從理論上分析瞭電子束照射條件和芯片內部形貌、材料參數對靜態電容襯度的影響,解釋瞭在掃描電鏡實驗中的最大襯度現象及其對應的最佳電子照射條件.
재연구저능전자속조사절연물시재이차전자반회특성적기출상,통과절연물표면조사미구화츤저지간적유효전용,획득료표면전위화이차전자신호전류재표면전하적루과도과정중수조사조건적변화관계,건립료전자속조사복개유절연막적IC심편시형성정태전용츤도적이론모형.종이론상분석료전자속조사조건화심편내부형모、재료삼수대정태전용츤도적영향,해석료재소묘전경실험중적최대츤도현상급기대응적최가전자조사조건.
