电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2009年
3期
209-213
,共5页
铜膜%表面形貌%分形%退火
銅膜%錶麵形貌%分形%退火
동막%표면형모%분형%퇴화
用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理.用扫描电镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征.结果表明:当退火温度T在小于673 K范围内增加时,分形维数Df逐渐减小;而当T增加至773 K时,DI异常增加.本文根据表面扩散、晶粒长大、缺陷形成等机制对其进行了分析.
用磁控濺射工藝在Si基片上沉積500nm厚Cu膜,併在不同溫度下進行快速退火處理.用掃描電鏡(SEM)與原子力顯微鏡(AFM)觀察薄膜錶麵形貌,併根據分形理論予以定量錶徵.結果錶明:噹退火溫度T在小于673 K範圍內增加時,分形維數Df逐漸減小;而噹T增加至773 K時,DI異常增加.本文根據錶麵擴散、晶粒長大、缺陷形成等機製對其進行瞭分析.
용자공천사공예재Si기편상침적500nm후Cu막,병재불동온도하진행쾌속퇴화처리.용소묘전경(SEM)여원자력현미경(AFM)관찰박막표면형모,병근거분형이론여이정량표정.결과표명:당퇴화온도T재소우673 K범위내증가시,분형유수Df축점감소;이당T증가지773 K시,DI이상증가.본문근거표면확산、정립장대、결함형성등궤제대기진행료분석.
