半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
150-153,163
,共5页
阻变存储器(RRAM)%位修复%良率%阵列冗余%单元初始化
阻變存儲器(RRAM)%位脩複%良率%陣列冗餘%單元初始化
조변존저기(RRAM)%위수복%량솔%진렬용여%단원초시화
针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻.利用这样特性的阻变单元作为错误检测位、冗余单元作为修复位,提出了三种不同的组织结构来实现修复操作.三种结构由于主存储器、检验位存储器及冗余存储器的组织方式不同,达到了不同的冗余存储器利用率.最后,通过数学分析可以证明,该方案在利用了较少冗余存储器的条件下,可以将阻变存储器的错误率普遍降低10 ～30倍,实现了较好的修复效果.
針對新型阻變存儲器(RRAM)工藝良率不高的問題,提齣瞭一種新型的脩複解決方案,該方案基于阻變單元的特殊性能,即初始狀態為高阻,經過單元初始化操作過程後轉變為低阻.利用這樣特性的阻變單元作為錯誤檢測位、冗餘單元作為脩複位,提齣瞭三種不同的組織結構來實現脩複操作.三種結構由于主存儲器、檢驗位存儲器及冗餘存儲器的組織方式不同,達到瞭不同的冗餘存儲器利用率.最後,通過數學分析可以證明,該方案在利用瞭較少冗餘存儲器的條件下,可以將阻變存儲器的錯誤率普遍降低10 ～30倍,實現瞭較好的脩複效果.
침대신형조변존저기(RRAM)공예량솔불고적문제,제출료일충신형적수복해결방안,해방안기우조변단원적특수성능,즉초시상태위고조,경과단원초시화조작과정후전변위저조.이용저양특성적조변단원작위착오검측위、용여단원작위수복위,제출료삼충불동적조직결구래실현수복조작.삼충결구유우주존저기、검험위존저기급용여존저기적조직방식불동,체도료불동적용여존저기이용솔.최후,통과수학분석가이증명,해방안재이용료교소용여존저기적조건하,가이장조변존저기적착오솔보편강저10 ～30배,실현료교호적수복효과.
