固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
3期
225-229
,共5页
碳化硅%二极管%结终端%模拟%击穿电压%工艺
碳化硅%二極管%結終耑%模擬%擊穿電壓%工藝
탄화규%이겁관%결종단%모의%격천전압%공예
在对4H-SiC高压PIN二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的高压4H-SiC PIN二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果.利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了高压4H-SiC PIN二极管.实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测此器件击穿电压值已达到1 650 V.
在對4H-SiC高壓PIN二極管進行瞭理論分析的基礎上,利用倣真軟件ISE10.0對具有結終耑保護的高壓4H-SiC PIN二極管耐壓特性進行瞭模擬倣真計算,併取得瞭很多有價值的計算結果.利用平麵製造工藝,結閤倣真提取的參數,試製瞭高壓4H-SiC PIN二極管.實驗測試結果錶明,倣真計算的結果與實際樣品測試的數據一緻性較好,實測此器件擊穿電壓值已達到1 650 V.
재대4H-SiC고압PIN이겁관진행료이론분석적기출상,이용방진연건ISE10.0대구유결종단보호적고압4H-SiC PIN이겁관내압특성진행료모의방진계산,병취득료흔다유개치적계산결과.이용평면제조공예,결합방진제취적삼수,시제료고압4H-SiC PIN이겁관.실험측시결과표명,방진계산적결과여실제양품측시적수거일치성교호,실측차기건격천전압치이체도1 650 V.
