材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2008年
10期
76-79,84
,共5页
覃东欢%刘红梅%陶洪%兰林峰%陈军武%曹镛
覃東歡%劉紅梅%陶洪%蘭林峰%陳軍武%曹鏞
담동환%류홍매%도홍%란림봉%진군무%조용
Ⅵ族半导体%纳米线%场效应晶体管
Ⅵ族半導體%納米線%場效應晶體管
Ⅵ족반도체%납미선%장효응정체관
采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.
採用化學液相反應,以亞硒痠或者原碲痠為原料,閤成齣呎吋均勻、高結晶度的硒、碲納米線.高分辨電鏡分析結果錶明:閤成的硒、碲納米線均為三方晶單晶結構,生長方嚮沿其螺鏇軸即[001]方嚮生長.結閤光刻、電子束刻蝕技術,分彆製備瞭硒、碲納米線場效應晶體管器件(FET).對器件測試的結果顯示:硒和碲納米線均為P型半導體,其相應的空穴遷移率分彆為30.7,70cm2V-1 s-1.這對新型納米線電子學器件的開髮應用具有重要意義.
채용화학액상반응,이아서산혹자원제산위원료,합성출척촌균균、고결정도적서、제납미선.고분변전경분석결과표명:합성적서、제납미선균위삼방정단정결구,생장방향연기라선축즉[001]방향생장.결합광각、전자속각식기술,분별제비료서、제납미선장효응정체관기건(FET).대기건측시적결과현시:서화제납미선균위P형반도체,기상응적공혈천이솔분별위30.7,70cm2V-1 s-1.저대신형납미선전자학기건적개발응용구유중요의의.
