功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2010年
z2期
320-323
,共4页
孟旭%卢永娟%丁勇%崔锦峰%杨保平%贾均红
孟旭%盧永娟%丁勇%崔錦峰%楊保平%賈均紅
맹욱%로영연%정용%최금봉%양보평%가균홍
CdS纳米晶薄膜%化学浴沉积法%电化学
CdS納米晶薄膜%化學浴沉積法%電化學
CdS납미정박막%화학욕침적법%전화학
利用化学浴沉积法,以N(CH2CH2OH)3为络合剂,Cd(CH3COO)2·2H2O和(NH2)2CS为前驱体溶液制备了CdS纳米晶薄膜,利用FESEM、XRD考察了前驱体浓度、络合剂浓度、前驱体溶液的pH值、反应温度等因素对CdS纳米晶薄膜的表面形貌、晶粒大小及晶体结构的影响,在最佳工艺条件下可以制得表面平整,结构致密的CdS纳米晶薄膜.UV-Vis光谱表明CdS在短波长区域有较强的吸收,符合作为窗口材料和过渡层的要求;光电性能测试表明CdS具有较好的光电响应,呈特征n型半导体特性.
利用化學浴沉積法,以N(CH2CH2OH)3為絡閤劑,Cd(CH3COO)2·2H2O和(NH2)2CS為前驅體溶液製備瞭CdS納米晶薄膜,利用FESEM、XRD攷察瞭前驅體濃度、絡閤劑濃度、前驅體溶液的pH值、反應溫度等因素對CdS納米晶薄膜的錶麵形貌、晶粒大小及晶體結構的影響,在最佳工藝條件下可以製得錶麵平整,結構緻密的CdS納米晶薄膜.UV-Vis光譜錶明CdS在短波長區域有較彊的吸收,符閤作為窗口材料和過渡層的要求;光電性能測試錶明CdS具有較好的光電響應,呈特徵n型半導體特性.
이용화학욕침적법,이N(CH2CH2OH)3위락합제,Cd(CH3COO)2·2H2O화(NH2)2CS위전구체용액제비료CdS납미정박막,이용FESEM、XRD고찰료전구체농도、락합제농도、전구체용액적pH치、반응온도등인소대CdS납미정박막적표면형모、정립대소급정체결구적영향,재최가공예조건하가이제득표면평정,결구치밀적CdS납미정박막.UV-Vis광보표명CdS재단파장구역유교강적흡수,부합작위창구재료화과도층적요구;광전성능측시표명CdS구유교호적광전향응,정특정n형반도체특성.
