电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2011年
12期
1583-1585
,共3页
热电薄膜%掺杂%热电功率因子
熱電薄膜%摻雜%熱電功率因子
열전박막%참잡%열전공솔인자
采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜.利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征.Ag的掺杂浓度为0.2％,热电功率因子提高到16.1μW/(cm·K).Ag掺杂浓度从0.25％增加到0.5％,薄膜为p型半导体,热电功率因子呈减少的趋势.
採用瞬間蒸髮技術在溫度為473 K的玻璃基體上沉積瞭厚度為800 nm的Ag摻雜Bi2(Te0.95Se0.05)3熱電薄膜.利用X射線衍射(XRD)技術對薄膜的物相結構進行錶徵,採用錶麵粗糙度測量儀測定薄膜厚度,薄膜的電阻率採用四探針法在室溫下進行測量,在室溫下對薄膜的Seebeck繫數進行錶徵.Ag的摻雜濃度為0.2％,熱電功率因子提高到16.1μW/(cm·K).Ag摻雜濃度從0.25％增加到0.5％,薄膜為p型半導體,熱電功率因子呈減少的趨勢.
채용순간증발기술재온도위473 K적파리기체상침적료후도위800 nm적Ag참잡Bi2(Te0.95Se0.05)3열전박막.이용X사선연사(XRD)기술대박막적물상결구진행표정,채용표면조조도측량의측정박막후도,박막적전조솔채용사탐침법재실온하진행측량,재실온하대박막적Seebeck계수진행표정.Ag적참잡농도위0.2％,열전공솔인자제고도16.1μW/(cm·K).Ag참잡농도종0.25％증가도0.5％,박막위p형반도체,열전공솔인자정감소적추세.
