电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
7期
51-54
,共4页
氧化铟锡(ITO)%磁控溅射%SnO2%热稳定性
氧化銦錫(ITO)%磁控濺射%SnO2%熱穩定性
양화인석(ITO)%자공천사%SnO2%열은정성
采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15nm左右的SnO2薄膜.利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外-可见-近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质.结果表明,在300-600℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO(SnO2/ITO)薄膜具有相对好的热学稳定性.在600℃退火后,ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3Ω/□和2.5×10-3Ω·cm,而此时,SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8Ψ/□和1.2× 10-3Ω·cm.最后,阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制.
採用射頻磁控濺射法在ITO玻璃錶麵沉積瞭一層15nm左右的SnO2薄膜.利用霍爾效應測試儀、四探針電阻測試儀、場髮射電子顯微鏡及紫外-可見-近紅外光譜儀分析瞭所製薄膜的電學性質、錶麵形貌和光學性質.結果錶明,在300-600℃退火後鍍有SnO2覆蓋層的ITO(SnO2/ITO)薄膜具有相對好的熱學穩定性.在600℃退火後,ITO薄膜的方阻和電阻率分彆為88.3Ω/□和2.5×10-3Ω·cm,而此時,SnO2/ITO薄膜的方阻和電阻率僅為43.8Ψ/□和1.2× 10-3Ω·cm.最後,闡述瞭SnO2覆蓋層提高ITO薄膜熱穩定性的機製.
채용사빈자공천사법재ITO파리표면침적료일층15nm좌우적SnO2박막.이용곽이효응측시의、사탐침전조측시의、장발사전자현미경급자외-가견-근홍외광보의분석료소제박막적전학성질、표면형모화광학성질.결과표명,재300-600℃퇴화후도유SnO2복개층적ITO(SnO2/ITO)박막구유상대호적열학은정성.재600℃퇴화후,ITO박막적방조화전조솔분별위88.3Ω/□화2.5×10-3Ω·cm,이차시,SnO2/ITO박막적방조화전조솔부위43.8Ψ/□화1.2× 10-3Ω·cm.최후,천술료SnO2복개층제고ITO박막열은정성적궤제.
