无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2002年
4期
872-876
,共5页
CVDZnS%热等静压%光学透过率%X射线衍射
CVDZnS%熱等靜壓%光學透過率%X射線衍射
CVDZnS%열등정압%광학투과솔%X사선연사
采用红外、紫外光谱仪对热等静压(HIP)处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压(HIP)处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压(HIP)处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
採用紅外、紫外光譜儀對熱等靜壓(HIP)處理前後CVDZnS的光學透過率進行瞭測量,採用分析電子顯微鏡、金相顯微鏡和X射線衍射對原生CVDZnS和經熱等靜壓(HIP)處理的CVDZnS的顯微組織和晶體結構進行瞭分析.根據熱等靜壓(HIP)處理前後CVDZnS光學透過率和材料內部顯微結構的不同分析瞭熱等靜壓過程造成CVDZnS光學性能提高的原因.研究錶明:熱等靜壓過程使得CVDZnS的晶粒呎吋有瞭很大提高,併且消除瞭原生CVDZnS在生長過程中形成的晶體缺陷,從而減小瞭原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒邊界造成的散射損失,使得CVDZnS的光學透過率,尤其是在可見光及近紅外波段,有瞭較大的提高.
채용홍외、자외광보의대열등정압(HIP)처리전후CVDZnS적광학투과솔진행료측량,채용분석전자현미경、금상현미경화X사선연사대원생CVDZnS화경열등정압(HIP)처리적CVDZnS적현미조직화정체결구진행료분석.근거열등정압(HIP)처리전후CVDZnS광학투과솔화재료내부현미결구적불동분석료열등정압과정조성CVDZnS광학성능제고적원인.연구표명:열등정압과정사득CVDZnS적정립척촌유료흔대제고,병차소제료원생CVDZnS재생장과정중형성적정체결함,종이감소료원생CVDZnS중유우정격결함화정립변계조성적산사손실,사득CVDZnS적광학투과솔,우기시재가견광급근홍외파단,유료교대적제고.
