半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
7期
731-734
,共4页
周星飞%施斌%胡冬枝%樊永良%龚大卫%蒋最敏
週星飛%施斌%鬍鼕枝%樊永良%龔大衛%蔣最敏
주성비%시빈%호동지%번영량%공대위%장최민
Si/Ge界面互扩散%量子点%分子束外延
Si/Ge界麵互擴散%量子點%分子束外延
Si/Ge계면호확산%양자점%분자속외연
在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层,高温退火形成量子点.我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点,而不是纯Ge量子点.
在Si(100)襯底上低溫生長瞭一層完全應變的Ge層,高溫退火形成量子點.我們用喇曼光譜研究瞭量子點形成時Si/Ge界麵的互擴散現象,實驗錶明量子點的形成伴隨著Si/Ge原子之間的互擴散,通常在Si襯底上形成的是SiGe閤金量子點,而不是純Ge量子點.
재Si(100)츤저상저온생장료일층완전응변적Ge층,고온퇴화형성양자점.아문용나만광보연구료양자점형성시Si/Ge계면적호확산현상,실험표명양자점적형성반수착Si/Ge원자지간적호확산,통상재Si츤저상형성적시SiGe합금양자점,이불시순Ge양자점.
