清华大学学报(自然科学版)
清華大學學報(自然科學版)
청화대학학보(자연과학판)
Journal of Tsinghua University
2004年
5期
593-596
,共4页
方玲%张弓%庄大明%赵明%郑麒麟%丁晓峰%吴敏生
方玲%張弓%莊大明%趙明%鄭麒麟%丁曉峰%吳敏生
방령%장궁%장대명%조명%정기린%정효봉%오민생
太阳能电池%Cu-In薄膜%CuInSe2(CIS)薄膜%固态硒化%磁控溅射
太暘能電池%Cu-In薄膜%CuInSe2(CIS)薄膜%固態硒化%磁控濺射
태양능전지%Cu-In박막%CuInSe2(CIS)박막%고태서화%자공천사
为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2 (CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层.采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构.结果表明: Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区; 在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS, 且晶体结构为单一的黄铜矿相. CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2 kΩ·cm.
為瞭研究Cu-In薄膜中的跼部偏聚現象及其對硒化後CuInSe2 (CIS)薄膜中各元素分佈和組織結構的影響,採用中頻磁控濺射工藝,濺射Cu-In閤金靶,製備瞭總體Cu/In原子數比接近1的Cu-In預製膜,併在硒氣氛下硒化製備瞭CIS太暘能電池吸收層.採用掃描電子顯微鏡和能量瀰散X射線分析技術對Cu-In預製膜及CIS薄膜的錶麵形貌、成分進行瞭觀察和分析,採用X射線衍射和Raman散射譜錶徵瞭薄膜的組織結構.結果錶明: Cu-In預製膜主要由Cu11In9相組成,但存在豆狀的富In區; 在總體Cu/In原子數比接近1時,硒化後可得到各元素分佈均勻、具有化學計量比的CIS, 且晶體結構為單一的黃銅礦相. CIS薄膜的導電類型為P型,電阻率達到1.2 kΩ·cm.
위료연구Cu-In박막중적국부편취현상급기대서화후CuInSe2 (CIS)박막중각원소분포화조직결구적영향,채용중빈자공천사공예,천사Cu-In합금파,제비료총체Cu/In원자수비접근1적Cu-In예제막,병재서기분하서화제비료CIS태양능전지흡수층.채용소묘전자현미경화능량미산X사선분석기술대Cu-In예제막급CIS박막적표면형모、성분진행료관찰화분석,채용X사선연사화Raman산사보표정료박막적조직결구.결과표명: Cu-In예제막주요유Cu11In9상조성,단존재두상적부In구; 재총체Cu/In원자수비접근1시,서화후가득도각원소분포균균、구유화학계량비적CIS, 차정체결구위단일적황동광상. CIS박막적도전류형위P형,전조솔체도1.2 kΩ·cm.
