CAJ | 학술논문

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Mo-n团簇束,当团簇束分别在偏压为0、1、3、5、10 kV的电场中加速后,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Mo/Sj(111)薄膜样品.用XRD分析表明,在室温下,偏压≤5 kV团簇束沉积和常规磁控溅射沉积获得的Mo/Si(111)样品,其界面均无二硅化钼(MoSi2)生成;偏压=10 kV时,团簇束沉积其界面直接有MoSi2生成.对于团簇束沉积,当偏压大于一定值时(在本实验条件下偏压≥3 kV),薄膜才开始以Mo(110)择优取向生长.
용일충신형자공천사기체응취단족원산생Mo-n단족속,당단족속분별재편압위0、1、3、5、10 kV적전장중가속후,침적재실온하적P형Si(111)츤저상,획득Mo/Sj(111)박막양품.용XRD분석표명,재실온하,편압≤5 kV단족속침적화상규자공천사침적획득적Mo/Si(111)양품,기계면균무이규화목(MoSi2)생성;편압=10 kV시,단족속침적기계면직접유MoSi2생성.대우단족속침적,당편압대우일정치시(재본실험조건하편압≥3 kV),박막재개시이Mo(110)택우취향생장.