无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2005年
4期
1013-1018
,共6页
陈莹%董显林%高敏%梁瑞虹%曹菲
陳瑩%董顯林%高敏%樑瑞虹%曹菲
진형%동현림%고민%량서홍%조비
钛酸锶钡%复合材料%介电性能%可调性
鈦痠鍶鋇%複閤材料%介電性能%可調性
태산송패%복합재료%개전성능%가조성
采用传统的电子陶瓷制备工艺制备了BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料,并对样品的结构及其介电性能进行了表征与分析,讨论了Mg2SiO4/MgO掺杂对BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料结构和性能的影响.结果表明,与前其他掺杂改性的BSTO复合材料相比,BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料不仅可以在较低的温度烧结致密,而且在介电常数降低的同时,仍能保持较高的可调性,如BSTO/39wt%Mg2SiO4/17wt%MgO的介电常数εr为～80.21,在2kV/mm的直流偏置电场下,其可调性达到～12%,介电损耗为～0.003.
採用傳統的電子陶瓷製備工藝製備瞭BSTO/Mg2SiO4/MgO複閤材料,併對樣品的結構及其介電性能進行瞭錶徵與分析,討論瞭Mg2SiO4/MgO摻雜對BSTO/Mg2SiO4/MgO複閤材料結構和性能的影響.結果錶明,與前其他摻雜改性的BSTO複閤材料相比,BSTO/Mg2SiO4/MgO複閤材料不僅可以在較低的溫度燒結緻密,而且在介電常數降低的同時,仍能保持較高的可調性,如BSTO/39wt%Mg2SiO4/17wt%MgO的介電常數εr為～80.21,在2kV/mm的直流偏置電場下,其可調性達到～12%,介電損耗為～0.003.
채용전통적전자도자제비공예제비료BSTO/Mg2SiO4/MgO복합재료,병대양품적결구급기개전성능진행료표정여분석,토론료Mg2SiO4/MgO참잡대BSTO/Mg2SiO4/MgO복합재료결구화성능적영향.결과표명,여전기타참잡개성적BSTO복합재료상비,BSTO/Mg2SiO4/MgO복합재료불부가이재교저적온도소결치밀,이차재개전상수강저적동시,잉능보지교고적가조성,여BSTO/39wt%Mg2SiO4/17wt%MgO적개전상수εr위～80.21,재2kV/mm적직류편치전장하,기가조성체도～12%,개전손모위～0.003.
