CAJ | 학술논문

采用射频磁控溅射(RFMS)法,在Si衬底上生长出具有(002)择优取向的MgxZn1-xO薄膜.透射光谱结果表明,与ZnO相比,MgxZn1-xO薄膜的吸收带边从378 nm蓝移至308 nm,这说明MgxZn1-xO薄膜的带隙随着Mg组分的增加而加宽.扫描电镜(SEM)能谱分析表明,薄膜中的Mg含量比靶源中的高.用不同波长的光激发得到的光致发光(PL)谱显示,在不同波长的光激励下,只出现单色蓝或绿发光峰,其它的发光峰消失,而且随着激发光波长从260 nm、280 nm到300 nm的增加,发光峰位置分别从431 nm、459 nm红移至489 nm,发光强度也显著增强.分析表明,这些发光峰与O空位有关.
채용사빈자공천사(RFMS)법,재Si츤저상생장출구유(002)택우취향적MgxZn1-xO박막.투사광보결과표명,여ZnO상비,MgxZn1-xO박막적흡수대변종378 nm람이지308 nm,저설명MgxZn1-xO박막적대극수착Mg조분적증가이가관.소묘전경(SEM)능보분석표명,박막중적Mg함량비파원중적고.용불동파장적광격발득도적광치발광(PL)보현시,재불동파장적광격려하,지출현단색람혹록발광봉,기타적발광봉소실,이차수착격발광파장종260 nm、280 nm도300 nm적증가,발광봉위치분별종431 nm、459 nm홍이지489 nm,발광강도야현저증강.분석표명,저사발광봉여O공위유관.