Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
Cu(In,Ga)3Se5박막적결구급기결함연구
Ga and Film Microstructures of Quaternary Ordered Defect Compounds Cu ( In, Ga) 3Se5
  • 万方数据
    真空科学与技术学报 진공과학여기술학보
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2006年 z1期 53-56,70 ,共5页

    徐传明%许小亮%谢家纯%徐军%杨晓杰%冯叶%黄文浩%刘洪图

    서전명%허소량%사가순%서군%양효걸%풍협%황문호%류홍도

    Cu(In,Ga)3Se5%有序缺陷化合物%XRD%四方结构扭曲 Cu(In,Ga)3Se5%有序缺陷化閤物%XRD%四方結構扭麯
    Cu(In,Ga)3Se5%유서결함화합물%XRD%사방결구뉴곡
    讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.
    토론료Ga함량대사원유서결함화합물Cu(In,Ga)3Se5박막결구적영향.Ga함량적증가인기정격뉴곡계수η근사안포물선형식증가,이기정격상수a여c정선성감소추세,동시(112),(220)/(204)등주연사봉적위치화강도정현현저적개변.이양품후도적개변회도치박막중존재불동적내응력,최종대박막적결구산생료현저영향.
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