分析试验室
分析試驗室
분석시험실
ANALYTICAL LABORATORY
2012年
1期
6-10
,共5页
金纳米通道%电荷选择性%百草枯%阿特拉津%分离
金納米通道%電荷選擇性%百草枯%阿特拉津%分離
금납미통도%전하선택성%백초고%아특랍진%분리
采用化学沉积法将金沉积到聚碳酸酯膜内孔壁,制备了呈负电性的阵列金纳米通道.在外加恒电压作用下,阳离子型的百草枯选择性通过负电性的金纳米通道,阿特拉津为分子型化合物,不受电荷选择性和电泳作用影响,难以在金纳米通道内迁移.借此,可实现二者的分离.
採用化學沉積法將金沉積到聚碳痠酯膜內孔壁,製備瞭呈負電性的陣列金納米通道.在外加恆電壓作用下,暘離子型的百草枯選擇性通過負電性的金納米通道,阿特拉津為分子型化閤物,不受電荷選擇性和電泳作用影響,難以在金納米通道內遷移.藉此,可實現二者的分離.
채용화학침적법장금침적도취탄산지막내공벽,제비료정부전성적진렬금납미통도.재외가항전압작용하,양리자형적백초고선택성통과부전성적금납미통도,아특랍진위분자형화합물,불수전하선택성화전영작용영향,난이재금납미통도내천이.차차,가실현이자적분리.
