微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
250-254
,共5页
刘富财%蔡翔%罗俊%刘伦才%石建刚
劉富財%蔡翔%囉俊%劉倫纔%石建剛
류부재%채상%라준%류륜재%석건강
深亚微米器件%CMOS%集成电路%可靠性机理%可靠性模型
深亞微米器件%CMOS%集成電路%可靠性機理%可靠性模型
심아미미기건%CMOS%집성전로%가고성궤리%가고성모형
随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题.重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及其可靠性模型进行了总结.
隨著CMOS集成電路特徵呎吋的不斷縮小,特彆是在其髮展到深亞微米階段之後,CMOS器件麵臨著負偏置溫度的不穩定性、柵氧化層經時擊穿、互連繫統的電遷移和熱載流子註入等可靠性問題.重點對近年來研究得到的深亞微米CMOS器件可靠性機理及其可靠性模型進行瞭總結.
수착CMOS집성전로특정척촌적불단축소,특별시재기발전도심아미미계단지후,CMOS기건면림착부편치온도적불은정성、책양화층경시격천、호련계통적전천이화열재류자주입등가고성문제.중점대근년래연구득도적심아미미CMOS기건가고성궤리급기가고성모형진행료총결.
