半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
8期
956-960
,共5页
吴云峰%叶玉堂%吴泽明%杨先明%秦宇伟
吳雲峰%葉玉堂%吳澤明%楊先明%秦宇偉
오운봉%협옥당%오택명%양선명%진우위
InP%激光微细加工%激光诱导温度上升
InP%激光微細加工%激光誘導溫度上升
InP%격광미세가공%격광유도온도상승
采用聚焦连续波CO2激光束对n型InP基片进行局域加热,并利用专用的温度测量系统对InP基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量.结果表明,在基片初始温度为室温时,难以得到满足加工所要求的温度上升.增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求,但温度的稳定性较差.采用研制的温度控制系统,可方便地得到满足激光微细加工要求的稳定温度上升.
採用聚焦連續波CO2激光束對n型InP基片進行跼域加熱,併利用專用的溫度測量繫統對InP基片曝光區的溫度分佈及溫度隨時間的變化進行瞭測量.結果錶明,在基片初始溫度為室溫時,難以得到滿足加工所要求的溫度上升.增大曝光區麵積和對基片預熱可以使溫度上升的幅度達到要求,但溫度的穩定性較差.採用研製的溫度控製繫統,可方便地得到滿足激光微細加工要求的穩定溫度上升.
채용취초련속파CO2격광속대n형InP기편진행국역가열,병이용전용적온도측량계통대InP기편폭광구적온도분포급온도수시간적변화진행료측량.결과표명,재기편초시온도위실온시,난이득도만족가공소요구적온도상승.증대폭광구면적화대기편예열가이사온도상승적폭도체도요구,단온도적은정성교차.채용연제적온도공제계통,가방편지득도만족격광미세가공요구적은정온도상승.
