电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
5期
23-26
,共4页
刘韶华%刘艳红%吕博佳%温小琼
劉韶華%劉豔紅%呂博佳%溫小瓊
류소화%류염홍%려박가%온소경
无机非金属材料%热丝化学气相沉积%多晶硅薄膜%晶态比%择优取向
無機非金屬材料%熱絲化學氣相沉積%多晶硅薄膜%晶態比%擇優取嚮
무궤비금속재료%열사화학기상침적%다정규박막%정태비%택우취향
采用热丝化学气相沉积技术制备了多晶硅薄膜.利用Raman、XRD、SEM等检测手段,系统研究了沉积气压、衬底温度、衬底与热丝间距离、衬底种类等实验参数对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响.得出优化条件:沉积气压42 Pa,衬底温度250℃,衬底与热丝间距离48 mm,在玻璃衬底上制备出晶态比Xc>90%,择优取向为(111),横向晶粒尺寸为200～500 nm,纵向晶粒尺寸为30 nm左右的优质多晶硅薄膜.
採用熱絲化學氣相沉積技術製備瞭多晶硅薄膜.利用Raman、XRD、SEM等檢測手段,繫統研究瞭沉積氣壓、襯底溫度、襯底與熱絲間距離、襯底種類等實驗參數對多晶硅薄膜晶態比、晶麵擇優取嚮、晶粒呎吋的影響.得齣優化條件:沉積氣壓42 Pa,襯底溫度250℃,襯底與熱絲間距離48 mm,在玻璃襯底上製備齣晶態比Xc>90%,擇優取嚮為(111),橫嚮晶粒呎吋為200～500 nm,縱嚮晶粒呎吋為30 nm左右的優質多晶硅薄膜.
채용열사화학기상침적기술제비료다정규박막.이용Raman、XRD、SEM등검측수단,계통연구료침적기압、츤저온도、츤저여열사간거리、츤저충류등실험삼수대다정규박막정태비、정면택우취향、정립척촌적영향.득출우화조건:침적기압42 Pa,츤저온도250℃,츤저여열사간거리48 mm,재파리츤저상제비출정태비Xc>90%,택우취향위(111),횡향정립척촌위200～500 nm,종향정립척촌위30 nm좌우적우질다정규박막.
