Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究
Ge/Si납미다층막적매층조제결정연구
Study on the Ge buried layer modulated crystallization in Ge/Si multilayer films
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2008年 2期 328-330,333 ,共4页

    杨瑞东%陈寒娴%邓荣斌%孔令德%陶东平%王茺%杨宇

    양서동%진한한%산영빈%공령덕%도동평%왕충%양우

    Ge/Si纳米多层膜%埋层%纳米晶粒 Ge/Si納米多層膜%埋層%納米晶粒
    Ge/Si납미다층막%매층%납미정립
    采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.
    채용자공천사설비,당츤저온도위500℃시,재Si(100)기편상자공천사생장Ge/Si다층막양품.사용Raman,AFM화저각X사선기술대양품진행검측화연구,결과표명통과공제Ge매층적후도,가이조제Ge막적결정급정립척촌,획득정립평균척촌화공간분포교균균적다정Ge/Si다층막.
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