科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2009年
20期
6013-6016
,共4页
韩本光%吴龙胜%陈超%方勇%刘佑宝
韓本光%吳龍勝%陳超%方勇%劉祐寶
한본광%오룡성%진초%방용%류우보
倒掺杂%PD%SOI%单粒子翻转%电荷收集%线性能量转移值
倒摻雜%PD%SOI%單粒子翻轉%電荷收集%線性能量轉移值
도참잡%PD%SOI%단입자번전%전하수집%선성능량전이치
为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构.研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用.发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高.基于0.35 μm SOI 工艺线,结合ISE TCAD 软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据.着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI 器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真.
為瞭提高SOI器件抗總劑量能力,採用瞭倒摻雜結構.研究瞭倒摻雜結構PD SOI器件抗總劑量能力的增彊,介紹瞭該結構對寄生NPN晶體管的抑製作用.髮現倒摻雜結構不僅提高瞭器件的抗總劑量能力,對器件的抗單粒子能力也有所提高.基于0.35 μm SOI 工藝線,結閤ISE TCAD 軟件對器件的電學特性進行倣真,比較瞭流片測試數據和倣真數據.著重研究倒摻雜結構PD SOI器件較常規PD SOI 器件抗SEU能力的改善,併對SOI器件單粒子輻射的電荷收集效應進行瞭模擬與倣真.
위료제고SOI기건항총제량능력,채용료도참잡결구.연구료도참잡결구PD SOI기건항총제량능력적증강,개소료해결구대기생NPN정체관적억제작용.발현도참잡결구불부제고료기건적항총제량능력,대기건적항단입자능력야유소제고.기우0.35 μm SOI 공예선,결합ISE TCAD 연건대기건적전학특성진행방진,비교료류편측시수거화방진수거.착중연구도참잡결구PD SOI기건교상규PD SOI 기건항SEU능력적개선,병대SOI기건단입자복사적전하수집효응진행료모의여방진.
