微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
5期
714-721
,共8页
许中广%霍宗亮%张满红%王琴%刘璟%朱晨昕%郑志威%王晨杰%刘明
許中廣%霍宗亮%張滿紅%王琴%劉璟%硃晨昕%鄭誌威%王晨傑%劉明
허중엄%곽종량%장만홍%왕금%류경%주신흔%정지위%왕신걸%류명
MOS器件%栅介质%可靠性%缺陷表征%界面陷阱%氧化层陷阱
MOS器件%柵介質%可靠性%缺陷錶徵%界麵陷阱%氧化層陷阱
MOS기건%책개질%가고성%결함표정%계면함정%양화층함정
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈.作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点.普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素,对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等.针对几十年来研究人员提出的各种陷阱表征方法,在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上,对已有的界面陷阱和氧化层陷阱表征方法进行系统的调查总结和分析,详细阐述了表征技术的新进展.
隨著MOS器件按比例縮小,MOS器件的可靠性問題正成為限製器件性能的一大瓶頸.作為可靠性研究的一箇熱點和難點,MOS器件柵介質可靠性的研究一直是學術界和工業界研究的重點.普遍認為,柵介質中的陷阱是引起柵介質退化迺至擊穿的主要因素,對柵介質中陷阱信息的準確提取和分析將有助于器件性能的優化、器件壽命的預測等.針對幾十年來研究人員提齣的各種陷阱錶徵方法,在簡單介紹柵介質中陷阱相關知識的基礎上,對已有的界麵陷阱和氧化層陷阱錶徵方法進行繫統的調查總結和分析,詳細闡述瞭錶徵技術的新進展.
수착MOS기건안비례축소,MOS기건적가고성문제정성위한제기건성능적일대병경.작위가고성연구적일개열점화난점,MOS기건책개질가고성적연구일직시학술계화공업계연구적중점.보편인위,책개질중적함정시인기책개질퇴화내지격천적주요인소,대책개질중함정신식적준학제취화분석장유조우기건성능적우화、기건수명적예측등.침대궤십년래연구인원제출적각충함정표정방법,재간단개소책개질중함정상관지식적기출상,대이유적계면함정화양화층함정표정방법진행계통적조사총결화분석,상세천술료표정기술적신진전.
