电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
7期
41-43
,共3页
电子技术%铁电薄膜%BNT%剩余极化%脉冲激光淀积
電子技術%鐵電薄膜%BNT%剩餘極化%脈遲激光澱積
전자기술%철전박막%BNT%잉여겁화%맥충격광정적
用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4-xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10 V时,Pr及Ec分别达到27×10-6C/cm2和70×103V/cm.在1 MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性.
用脈遲激光澱積方法在p-Si基片上製備瞭高c軸取嚮的Bi4-xRxTi3O12(BNT)鐵電薄膜,研究瞭摻釹量x對薄膜鐵電性能的影響,結果錶明,噹x=0.80時,薄膜具有最大的剩餘極化(Pr),在應用電壓為10 V時,Pr及Ec分彆達到27×10-6C/cm2和70×103V/cm.在1 MHz時,Au/BNT/p-Si(100)電容在讀/寫開關次數達到1010後錶現齣較好的抗疲勞特性.
용맥충격광정적방법재p-Si기편상제비료고c축취향적Bi4-xRxTi3O12(BNT)철전박막,연구료참녀량x대박막철전성능적영향,결과표명,당x=0.80시,박막구유최대적잉여겁화(Pr),재응용전압위10 V시,Pr급Ec분별체도27×10-6C/cm2화70×103V/cm.재1 MHz시,Au/BNT/p-Si(100)전용재독/사개관차수체도1010후표현출교호적항피로특성.
