CAJ | 학술논문

随着集成电路特征尺寸的减小、低κ介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键.采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响.实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5％的螯合剂、2％的氧化剂和3％的表面活性剂.抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm·min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要.
수착집성전로특정척촌적감소、저κ개질적인입급정원척촌적증가,여하보증재저압무마료조건하완성대척촌동호련선평탄화이경성위집성전로제조공예발전적관건.채용법국Alpsitec공사적E460E포광궤재저압저마료적조건하,연구료12영촌(1영촌=25.4 mm)무도형(blanket)동막CMP공예화포광액배비대포광표면질량적영향.실험결과표명,재압력위0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),포광액주요성분위체적분수분별위5％적오합제、2％적양화제화3％적표면활성제.포광후표면무화상,표면비균균성위0.085,포광속솔위400 nm·min-1,표면조조도위0.223 nm,각삼수균만족공업화생산적수요.