电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2012年
3期
267-270
,共4页
汪明娟%李曦%张孟迪%任铮%胡少坚%石艳玲
汪明娟%李晞%張孟迪%任錚%鬍少堅%石豔玲
왕명연%리희%장맹적%임쟁%호소견%석염령
版图相关%应力模型%栅极多晶硅%PSP模型
版圖相關%應力模型%柵極多晶硅%PSP模型
판도상관%응력모형%책겁다정규%PSP모형
描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型.该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数.模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并且根据模型确定晶体管线性漏极电流Idlin、饱和漏极电流Idsat、线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat随着以上两种版图效应的变化曲线.
描述瞭一種新的應用于45 nm MOSFET電學倣真的版圖相關的PSP應力模型.該應力模型主要攷慮瞭多晶硅柵極相關的兩種版圖效應:相鄰PC(多晶硅柵)的間距、dummy PC箇數.模型重新定義瞭MOSFET在應力作用下兩箇PSP模型基本參數μ0和VFB0,併且根據模型確定晶體管線性漏極電流Idlin、飽和漏極電流Idsat、線性閾值電壓Vtlin和飽和閾值電壓Vtsat隨著以上兩種版圖效應的變化麯線.
묘술료일충신적응용우45 nm MOSFET전학방진적판도상관적PSP응력모형.해응력모형주요고필료다정규책겁상관적량충판도효응:상린PC(다정규책)적간거、dummy PC개수.모형중신정의료MOSFET재응력작용하량개PSP모형기본삼수μ0화VFB0,병차근거모형학정정체관선성루겁전류Idlin、포화루겁전류Idsat、선성역치전압Vtlin화포화역치전압Vtsat수착이상량충판도효응적변화곡선.
