固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
3期
422-426
,共5页
黄伟%张利春%高玉芝%金海岩%卢建政%张慧
黃偉%張利春%高玉芝%金海巖%盧建政%張慧
황위%장리춘%고옥지%금해암%로건정%장혜
镍硅化物%快速热退火%X射线衍射分析%卢瑟福背面散射分析
鎳硅化物%快速熱退火%X射線衍射分析%盧瑟福揹麵散射分析
얼규화물%쾌속열퇴화%X사선연사분석%로슬복배면산사분석
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100～150°C.依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2%和4%的Pt样品进行了分析.结果表明,掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性.最后,制作了I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性.
對比研究瞭夾層結構Ni/Pt/Ni分彆與摻雜p型多晶硅和n型單晶硅進行快速熱退火形成的硅化物薄膜的電學特性.實驗結果錶明,在600～800°C範圍內,摻Pt的NiSi薄膜電阻率低且均勻,比具有低電阻率的鎳硅化物的溫度範圍擴大瞭100～150°C.依據吉佈斯自由能理論,對在Ni(Pt)Si薄膜中摻有2%和4%的Pt樣品進行瞭分析.結果錶明,摻少量的Pt可以推遲NiSi嚮NiSi2的轉化溫度,提高瞭鎳硅化物的熱穩定性.最後,製作瞭I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基勢壘二極管,更進一步證明瞭摻少量的Pt改善瞭NiSi肖特基二極管的穩定性.
대비연구료협층결구Ni/Pt/Ni분별여참잡p형다정규화n형단정규진행쾌속열퇴화형성적규화물박막적전학특성.실험결과표명,재600～800°C범위내,참Pt적NiSi박막전조솔저차균균,비구유저전조솔적얼규화물적온도범위확대료100～150°C.의거길포사자유능이론,대재Ni(Pt)Si박막중참유2%화4%적Pt양품진행료분석.결과표명,참소량적Pt가이추지NiSi향NiSi2적전화온도,제고료얼규화물적열은정성.최후,제작료I-V특성량호적Ni(Pt)Si/Si초특기세루이겁관,경진일보증명료참소량적Pt개선료NiSi초특기이겁관적은정성.
