微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2008年
3期
55-59
,共5页
田军%刘玉岭%檀柏梅%牛新环%唐文栋
田軍%劉玉嶺%檀柏梅%牛新環%唐文棟
전군%류옥령%단백매%우신배%당문동
硬盘基板%化学机械抛光%浆料%机理%去除速率%粗糙度
硬盤基闆%化學機械拋光%漿料%機理%去除速率%粗糙度
경반기판%화학궤계포광%장료%궤리%거제속솔%조조도
目前,大多数计算机硬盘采用镍磷敷镀的铝合金作为磁盘盘片,并采用化学机械抛光(CMP)技术作为盘片最终的精抛光.通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其CMP机理,指出在整个反应过程中,化学反应速率是慢过程,它决定了最终的CMP速率,如何使络合反应迅速向右进行将成为CMP的关键.通过分析浆料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料的化学成份是化学作用的关键.通过分析氧化剂、pH值、活性剂及螯合剂的影响作用,研制了新型碱性浆料,其中磨料为硬度较小粒径40 nm的SiO2水溶胶,氧化剂为H2O2,FA/O活性荆与螯合剂,并首次选用有机碱作为pH值调节剂.利用配制的抛光液通过CMP实验确定氧化剂含量为15 ml/,L,pH值为11,磨料浓度为20%时,获得的速率可达550 nm/min以上,粗糙度降至1.1 nm.
目前,大多數計算機硬盤採用鎳燐敷鍍的鋁閤金作為磁盤盤片,併採用化學機械拋光(CMP)技術作為盤片最終的精拋光.通過對鎳燐基闆的化學性質分析,討論瞭其CMP機理,指齣在整箇反應過程中,化學反應速率是慢過程,它決定瞭最終的CMP速率,如何使絡閤反應迅速嚮右進行將成為CMP的關鍵.通過分析漿料在硬盤基闆CMP中的重要性,指齣漿料的化學成份是化學作用的關鍵.通過分析氧化劑、pH值、活性劑及螯閤劑的影響作用,研製瞭新型堿性漿料,其中磨料為硬度較小粒徑40 nm的SiO2水溶膠,氧化劑為H2O2,FA/O活性荊與螯閤劑,併首次選用有機堿作為pH值調節劑.利用配製的拋光液通過CMP實驗確定氧化劑含量為15 ml/,L,pH值為11,磨料濃度為20%時,穫得的速率可達550 nm/min以上,粗糙度降至1.1 nm.
목전,대다수계산궤경반채용얼린부도적려합금작위자반반편,병채용화학궤계포광(CMP)기술작위반편최종적정포광.통과대얼린기판적화학성질분석,토론료기CMP궤리,지출재정개반응과정중,화학반응속솔시만과정,타결정료최종적CMP속솔,여하사락합반응신속향우진행장성위CMP적관건.통과분석장료재경반기판CMP중적중요성,지출장료적화학성빈시화학작용적관건.통과분석양화제、pH치、활성제급오합제적영향작용,연제료신형감성장료,기중마료위경도교소립경40 nm적SiO2수용효,양화제위H2O2,FA/O활성형여오합제,병수차선용유궤감작위pH치조절제.이용배제적포광액통과CMP실험학정양화제함량위15 ml/,L,pH치위11,마료농도위20%시,획득적속솔가체550 nm/min이상,조조도강지1.1 nm.
