固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
3期
420-423
,共4页
陈亮%亢勇%赵德刚%李向阳%龚海梅
陳亮%亢勇%趙德剛%李嚮暘%龔海梅
진량%항용%조덕강%리향양%공해매
感应耦合等离子体%铝铱氨%X射线光电子能谱%损伤
感應耦閤等離子體%鋁銥氨%X射線光電子能譜%損傷
감응우합등리자체%려의안%X사선광전자능보%손상
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤.运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究.结果表明,在N2气中550℃退火3 min对材料的电学性能有明显的改善作用.
感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕在AlGaN基紫外探測器檯麵製作中起著重要作用,初步研究瞭Cl2/Ar/BCl3ICP刻蝕對AlGaN材料的損傷.運用X射線光電子能譜(XPS)對ICP刻蝕前後的n型Al0.45Ga0.55N錶麵進行瞭分析,併對刻蝕後AlGaN材料在N2氣中快速熱退火進行瞭研究.結果錶明,在N2氣中550℃退火3 min對材料的電學性能有明顯的改善作用.
감응우합등리자체(ICP)각식재AlGaN기자외탐측기태면제작중기착중요작용,초보연구료Cl2/Ar/BCl3ICP각식대AlGaN재료적손상.운용X사선광전자능보(XPS)대ICP각식전후적n형Al0.45Ga0.55N표면진행료분석,병대각식후AlGaN재료재N2기중쾌속열퇴화진행료연구.결과표명,재N2기중550℃퇴화3 min대재료적전학성능유명현적개선작용.
