传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2009年
1期
65-67
,共3页
InSb-In共晶体薄膜%磁敏电阻器%双限温度开关
InSb-In共晶體薄膜%磁敏電阻器%雙限溫度開關
InSb-In공정체박막%자민전조기%쌍한온도개관
介绍一种用InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻器(MR)制成的双限温度开关的温控机理和特性.实验表明:由InSb-In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关,具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区,其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23mV/℃左右;其上下限温度调整范围为-40～120℃,测温精度可达到±0.1℃.
介紹一種用InSb-In共晶體薄膜磁敏電阻器(MR)製成的雙限溫度開關的溫控機理和特性.實驗錶明:由InSb-In磁敏電阻器和信號處理電路兩部分組成的溫度開關,具有靈敏度高、控溫範圍寬的優點,在低溫區,其靈敏度可以高達30mV/℃以上,常溫下也可達到23mV/℃左右;其上下限溫度調整範圍為-40～120℃,測溫精度可達到±0.1℃.
개소일충용InSb-In공정체박막자민전조기(MR)제성적쌍한온도개관적온공궤리화특성.실험표명:유InSb-In자민전조기화신호처리전로량부분조성적온도개관,구유령민도고、공온범위관적우점,재저온구,기령민도가이고체30mV/℃이상,상온하야가체도23mV/℃좌우;기상하한온도조정범위위-40～120℃,측온정도가체도±0.1℃.
